С выпуском новых семейств 650-В диодов Rapid 1 и Rapid 2 компания Infineon выходит на рынок высоковольтных сверхбыстродействующих кремниевых диодов. Эти новые семейства дополняют линейку 600/650-В диодов Infineon высокой мощности и заполняют пробел между SiC-диодами и диодами, управляемыми по эмиттеру. Новые приборы, обеспечивающие идеальный баланс между ценой и производительностью, предназначены для высокоэффективных устройств с частотой переключения от 18 до 100 кГц. Диоды нового семейства Rapid отлично интегрируются с транзисторами CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5 в PFC-топологиях.

Семейства диодов Rapid будут выпускаться в двух версиях с предельно допустимым напряжением 650 В, что на 50 В выше, чем в предыдущих моделях. «Дополнительные» 50 В повышают надежность, не снижая эффективности. Новые диоды термостабильны благодаря очень малому падению прямого напряжения V_F, которое остается неизменным в интервале температур от –40 до +175°C. Такая стабильность позволяет заказчикам добиться максимальной эффективности диода независимо от его температуры перехода.

Семейство Rapid 1 отличается низким напряжением V_F и мягким восстановлением, а потому идеально подходит для устройств, работающих на частотах от 18 до 40 кГц, с жесткими требованиями к потерям на проводимость и к уровню электромагнитных излучений (EMI).

Семейство Rapid 2 предназначено для устройств с частотой переключения от 40 до 100 кГц. В этом диапазоне потери на переключение являются главным источником потерь мощности. Поэтому приборы Rapid 2 были оптимизированы для снижения заряда Qrr и времени trr. Кроме того, семейство Rapid 2 обеспечивает супермягкое восстановление и значение S-фактора >> 1.

Диоды семейства Rapid 1 с оптимизированным значением V_F:

• прямое напряжение (V_F) 1.35 В, не зависящее от температуры
• наивысшее значение S-фактора для обеспечения максимально мягкого восстановления и низкого уровня электромагнитных помех
• самый низкий ток Irrm для уменьшения потерь при включении на повышающем ключе
• предназначены для устройств с частотой переключения от 18 до 40 кГц
• t_rr < 100 нс

Семейство диодов Rapid 2:

• самое низкое отношение заряда обратного восстановления (Q_rr) к значению V_F, обеспечивающее отличные BiC-характеристики приборов
• малое время обратного восстановления (t_rr)
• самый низкий ток Irrm для уменьшения потерь при включении на повышающем ключе
• предназначено для устройств с частотой переключения от 40 до 100 кГц
• t_rr < 50 нс

Особенности

• Потери на проводимость (V_F) не зависят от температуры
• Потери на проводимость (V_F) диодов Rapid 1 по сравнению с лучшими конкурирующим образцами ниже на 250 мВ
• Диоды Rapid 2 имеют самое низкое значение показателя Q_rr/V_F
• Значение Irrm на 10% ниже лучшего показателя конкурирующей продукции
• Очень мягкое восстановление
• Диоды Rapid 2 имеют лучшую эффективность в классе сверхбыстродействующих кремниевых диодов на частоте 70 кГц
• Благодаря самому низкому току Irrm на 10% улучшается значение Eon ключа в PFC-каскадах
• Очень мягкое восстановление позволяет минимизировать уровень электромагнитных помех в BiC-приборах

Применение

• Повышающие диоды во всех каскадах PFC, требующих высокой эффективности, а также в повышающих топологиях для фотогальванических преобразователей. PFC-каскады применяются в следующих устройствах:
  • Бытовые кондиционеры воздуха
  • Промышленные кондиционеры воздуха
  • Сварочные аппараты
  • Серверы
  • Выпрямители для телекоммуникационных систем
  • Блоки питания для ПК (> 90 Вт)
  • PFC-каскады в телевизорах (> 90 Вт)
  • Обратные диоды в преобразователях солнечной энергии
  • Топологии с двухтранзисторным выходным каскадом (Two-Transistor Forward — TTF)